BUZ30A
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Numero parte | BUZ30A |
PNEDA Part # | BUZ30A |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 17.011 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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BUZ30A Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | BUZ30A |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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BUZ30A Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | SIPMOS® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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