BUK9Y98-80E,115
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| Numero parte | BUK9Y98-80E,115 |
| PNEDA Part # | BUK9Y98-80E-115 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V LFPAK |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.874 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK9Y98-80E Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK9Y98-80E,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BUK9Y98-80E Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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