BUK9575-55A,127
Solo per riferimento
| Numero parte | BUK9575-55A,127 |
| PNEDA Part # | BUK9575-55A-127 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 20A TO220AB |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.132 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
BUK9575-55A Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | BUK9575-55A,127 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- BUK9575-55A,127 Datasheet
- where to find BUK9575-55A,127
- Nexperia
- Nexperia BUK9575-55A,127
- BUK9575-55A,127 PDF Datasheet
- BUK9575-55A,127 Stock
- BUK9575-55A,127 Pinout
- Datasheet BUK9575-55A,127
- BUK9575-55A,127 Supplier
- Nexperia Distributor
- BUK9575-55A,127 Price
- BUK9575-55A,127 Distributor
BUK9575-55A Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 643pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.57nC @ 10V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6.6pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 250mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore 3-SPA Pacchetto / Custodia SC-72 |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7.32pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVIII-H Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
