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BUK9107-40ATC,118

BUK9107-40ATC,118

Solo per riferimento

Numero parte BUK9107-40ATC,118
PNEDA Part # BUK9107-40ATC-118
Descrizione MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9107-40ATC Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9107-40ATC,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK9107-40ATC, BUK9107-40ATC Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 365,39 KB)
PDFBUK9107-40ATC Datasheet Copertura
BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 2 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 3 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 4 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 5 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 6 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 7 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 8 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 9 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 10 BUK9107-40ATC Datasheet Pagina 11

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BUK9107-40ATC Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5836pF @ 25V
Funzione FETTemperature Sensing Diode
Dissipazione di potenza (max)272W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-426
Pacchetto / CustodiaTO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

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2N7002F,215

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

475mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.69nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

830mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMT3020LFCL-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN1616-6

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN Exposed Pad

NTLJS1102PTBG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

720mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

IRLR8743TRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4880pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

135W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

JANTXV2N6768T1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/543

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-254AA

Pacchetto / Custodia

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

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STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 3.8KB OTP 28SOIC

T495D477K006ATE125

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KEMET

CAP TANT 470UF 10% 6.3V 2917

LIS35DE

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STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

PM200DV1A120

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Powerex Inc.

MOD IPM V1 DUAL 200A 1200V

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IC REG LIN 2.5V 800MA SOT223-3

MSP5.0A-M3/89A

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ADP2384ACPZN-R7

ADP2384ACPZN-R7

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