Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

BUK7Y53-100B,115

BUK7Y53-100B,115

Solo per riferimento

Numero parte BUK7Y53-100B,115
PNEDA Part # BUK7Y53-100B-115
Descrizione MOSFET N-CH 100V 24.8A LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7Y53-100B Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7Y53-100B,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK7Y53-100B, BUK7Y53-100B Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 1.009,23 KB)
PDFBUK7Y53-100B Datasheet Copertura
BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 2 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 3 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 4 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 5 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 6 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 7 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 8 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 9 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 10 BUK7Y53-100B Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • BUK7Y53-100B,115 Datasheet
  • where to find BUK7Y53-100B,115
  • Nexperia

  • Nexperia BUK7Y53-100B,115
  • BUK7Y53-100B,115 PDF Datasheet
  • BUK7Y53-100B,115 Stock

  • BUK7Y53-100B,115 Pinout
  • Datasheet BUK7Y53-100B,115
  • BUK7Y53-100B,115 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK7Y53-100B,115 Price
  • BUK7Y53-100B,115 Distributor

BUK7Y53-100B Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24.8A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1467pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)85W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

I prodotti a cui potresti essere interessato

TSM4NC50CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

453pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP8N90K5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ K5

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

NTB75N03-006

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5635pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK7608-40B,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2689pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

157W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APT44F80B2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

305nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9330pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1135W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Venduto di recente

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

SSM2166SZ

SSM2166SZ

Analog Devices

IC PREAMP AUDIO MONO MIC 14SOIC

PA0277NL

PA0277NL

Pulse Electronics Power

FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

MAX8902BATA+T

MAX8902BATA+T

Maxim Integrated

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8TDFN

LT3480EDD#TRPBF

LT3480EDD#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 10DFN

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

MAX3078EESA+T

MAX3078EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

CPH3225A

CPH3225A

Seiko Instruments

CAP 11MF 3.3V SURFACE MOUNT

DS1216C

DS1216C

Maxim Integrated

IC SMART/RAM 5V 64K/256K 28-DIP

BZV55C5V1

BZV55C5V1

Microsemi

DIODE ZENER 5.1V DO213AA

ISL8206MIRZ

ISL8206MIRZ

Renesas Electronics America Inc.

DC DC CONVERTER 0.6-6V 6A