BUK751R6-30E,127
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| Numero parte | BUK751R6-30E,127 |
| PNEDA Part # | BUK751R6-30E-127 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.976 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK751R6-30E Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK751R6-30E,127 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BUK751R6-30E Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11960pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 349W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 650mA (Ta), 2.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 188pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 22W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
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