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BUK662R5-30C,118

BUK662R5-30C,118

Solo per riferimento

Numero parte BUK662R5-30C,118
PNEDA Part # BUK662R5-30C-118
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.756
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 29 - giu 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK662R5-30C Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK662R5-30C,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK662R5-30C, BUK662R5-30C Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 924,68 KB)
PDFBUK662R5-30C Datasheet Copertura
BUK662R5-30C Datasheet Pagina 2 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 3 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 4 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 5 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 6 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 7 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 8 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 9 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 10 BUK662R5-30C Datasheet Pagina 11

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BUK662R5-30C Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs114nC @ 10V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6960pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)204W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

380mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

890mW (Ta), 2.08W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

LSIC1MO120E0160

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 10A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 20V

Vgs (massimo)

+22V, -6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NTDV2955-1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUM50020EL-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11113pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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