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BUH50

BUH50

Solo per riferimento

Numero parte BUH50
PNEDA Part # BUH50
Descrizione TRANS NPN 500V 4A TO-220AB
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUH50 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUH50
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BUH50, BUH50 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 253,27 KB)
PDFBUH50G Datasheet Copertura
BUH50G Datasheet Pagina 2 BUH50G Datasheet Pagina 3 BUH50G Datasheet Pagina 4 BUH50G Datasheet Pagina 5 BUH50G Datasheet Pagina 6 BUH50G Datasheet Pagina 7 BUH50G Datasheet Pagina 8

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BUH50 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)500V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 1A, 3A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 2A, 5V
Potenza - Max50W
Frequenza - Transizione4MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-71

Pacchetto dispositivo fornitore

3-NMP

2N720A

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

5V @ 15mA, 150mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

JAN2N3499L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/366

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 30mA, 300mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

BC33725TAR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MJD32T4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

Potenza - Max

1.56W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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