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BSS84AKS,115

BSS84AKS,115

Solo per riferimento

Numero parte BSS84AKS,115
PNEDA Part # BSS84AKS-115
Descrizione MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 711.696
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSS84AKS Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSS84AKS,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BSS84AKS, BSS84AKS Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.431,95 KB)
PDFBSS84AKS/ZLX Datasheet Copertura
BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 2 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 3 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 4 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 5 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 6 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 7 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 8 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 9 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 10 BSS84AKS/ZLX Datasheet Pagina 11

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BSS84AKS Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C160mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds36pF @ 25V
Potenza - Max445mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

EMH2308-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-EMH

SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W, 1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

AUIRF9952Q

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W

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150°C (TJ)

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