BSS670S2L
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Numero parte | BSS670S2L |
PNEDA Part # | BSS670S2L |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 112.472 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSS670S2L Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | BSS670S2L |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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BSS670S2L Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 540mA (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 270mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2.7µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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