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BSS127SSN-7

BSS127SSN-7

Solo per riferimento

Numero parte BSS127SSN-7
PNEDA Part # BSS127SSN-7
Descrizione MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSS127SSN-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSS127SSN-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BSS127SSN-7, BSS127SSN-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 360,29 KB)
PDFBSS127SSN-7 Datasheet Copertura
BSS127SSN-7 Datasheet Pagina 2 BSS127SSN-7 Datasheet Pagina 3 BSS127SSN-7 Datasheet Pagina 4 BSS127SSN-7 Datasheet Pagina 5 BSS127SSN-7 Datasheet Pagina 6

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BSS127SSN-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.08nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds21.8pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)610mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-59
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2705pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Dual Cool ™ 33

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SFU9220TU_AM002

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Torex Semiconductor Ltd

Produttore

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

STB40NF10T4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1780pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.14W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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