BSP372NH6327XTSA1
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| Numero parte | BSP372NH6327XTSA1 |
| PNEDA Part # | BSP372NH6327XTSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 21.144 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSP372NH6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSP372NH6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BSP372NH6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 218µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 329pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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