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BSP324 E6327

BSP324 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BSP324 E6327
PNEDA Part # BSP324-E6327
Descrizione MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSP324 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSP324 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BSP324 E6327, BSP324 E6327 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 539,33 KB)
PDFBSP324L6327HTSA1 Datasheet Copertura
BSP324L6327HTSA1 Datasheet Pagina 2 BSP324L6327HTSA1 Datasheet Pagina 3 BSP324L6327HTSA1 Datasheet Pagina 4 BSP324L6327HTSA1 Datasheet Pagina 5 BSP324L6327HTSA1 Datasheet Pagina 6 BSP324L6327HTSA1 Datasheet Pagina 7 BSP324L6327HTSA1 Datasheet Pagina 8

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BSP324 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieSIPMOS®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C170mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.9nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds154pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

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DMN1004UFV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2385pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

JANTXV2N7228

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/592

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

515mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-254AA

Pacchetto / Custodia

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

NVMYS025N06CLTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta), 21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 24W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-LFPAK

Pacchetto / Custodia

SOT-1023, 4-LFPAK

IRLI530G

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 5.8A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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