BSM75GB170DN2HOSA1
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| Numero parte | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| PNEDA Part # | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| Descrizione | IGBT 1700V 110A 625W MODULE |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.824 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSM75GB170DN2HOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
BSM75GB170DN2HOSA1, BSM75GB170DN2HOSA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 308,41 KB)
  
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BSM75GB170DN2HOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1700V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 110A |
| Potenza - Max | 625W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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