BSM50GD120DN2E3226BOSA1
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| Numero parte | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
| PNEDA Part # | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
| Descrizione | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.376 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Potenza - Max | 350W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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