BSM35GD120DN2E3224BOSA1
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| Numero parte | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
| PNEDA Part # | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
| Descrizione | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.750 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Potenza - Max | 280W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Potenza - Max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.62nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
