BSM150GB120DN2HOSA1
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| Numero parte | BSM150GB120DN2HOSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BSM150GB120DN2HOSA1 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 5.920 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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BSM150GB120DN2HOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSM150GB120DN2HOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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BSM150GB120DN2HOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 210A |
| Potenza - Max | 1250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 2.8mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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