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BSL806NH6327XTSA1

BSL806NH6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSL806NH6327XTSA1
PNEDA Part # BSL806NH6327XTSA1
Descrizione MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.970
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 23 - giu 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSL806NH6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSL806NH6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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BSL806NH6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id750mV @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7nC @ 2.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds259pF @ 10V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSOP-6-6

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Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3333pF @ 10V

Potenza - Max

1.45W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rohm Semiconductor

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 22mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 10V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Produttore

Vishay Siliconix

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1995pF @ 40V

Potenza - Max

187W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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