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BSL316CL6327HTSA1

BSL316CL6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSL316CL6327HTSA1
PNEDA Part # BSL316CL6327HTSA1
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.096
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 23 - giu 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSL316CL6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSL316CL6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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BSL316CL6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.4A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds94pF @ 15V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSOP-6-6

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.1nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 20V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A, 36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1037pF @ 15V

Potenza - Max

3.6W, 4.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

Potenza - Max

250mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 2.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Temperatura di esercizio

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