BSL214NH6327XTSA1
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| Numero parte | BSL214NH6327XTSA1 |
| PNEDA Part # | BSL214NH6327XTSA1 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.670 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSL214NH6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSL214NH6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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BSL214NH6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
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Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.65mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3170pF @ 25V Potenza - Max 3.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V Potenza - Max 2.2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.45W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore U-WLB1818-4 |
