BSL207NL6327HTSA1
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| Numero parte | BSL207NL6327HTSA1 |
| PNEDA Part # | BSL207NL6327HTSA1 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.424 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSL207NL6327HTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSL207NL6327HTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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BSL207NL6327HTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
