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BSC340N08NS3GATMA1

BSC340N08NS3GATMA1

Solo per riferimento

Numero parte BSC340N08NS3GATMA1
PNEDA Part # BSC340N08NS3GATMA1
Descrizione MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 259.758
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSC340N08NS3GATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSC340N08NS3GATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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BSC340N08NS3GATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta), 23A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.1nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds756pF @ 40V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8-5
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

BSC015NE2LS5IATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-6

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRFB9N60A

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

170W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

DN2625K4-G

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.04nC @ 1.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVMFS5C604NLWFAFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

287A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

FDS86141

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

934pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Venduto di recente

2N3390

2N3390

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

MAX15027ATB/V+T

MAX15027ATB/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 10TDFN

BZV55C4V7

BZV55C4V7

Microsemi

DIODE ZENER 4.7V DO213AA

KT2520Y40000ECV28TBA

KT2520Y40000ECV28TBA

Kyocera

XTAL OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV

LTST-C191KRKT

LTST-C191KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

AD5322BRMZ-REEL

AD5322BRMZ-REEL

Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 10MSOP

CM1624-08DE

CM1624-08DE

ON Semiconductor

FILTER RLC 40 OHM/12PF/20NH SMD

BAS16

BAS16

Panasonic Electronic Components

DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

BZV49-C18,115

BZV49-C18,115

Nexperia

DIODE ZENER 18V 1W SOT89

SMBJ12A

SMBJ12A

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN