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BRCG064GWZ-3E2

BRCG064GWZ-3E2

Solo per riferimento

Numero parte BRCG064GWZ-3E2
PNEDA Part # BRCG064GWZ-3E2
Descrizione IC EEPROM 64K I2C UCSP35L1
Produttore Rohm Semiconductor
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Disponibile 5.868
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BRCG064GWZ-3E2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBRCG064GWZ-3E2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BRCG064GWZ-3E2, BRCG064GWZ-3E2 Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 453,11 KB)
PDFBRCG064GWZ-3E2 Datasheet Copertura
BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 2 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 3 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 4 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 5 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 6 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 7 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 8 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 9 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 10 BRCG064GWZ-3E2 Datasheet Pagina 11

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BRCG064GWZ-3E2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitoreUCSP35L1

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-TSSOP

AT25020AN-10SI-1.8

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

ABLIC U.S.A. Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

500ns

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

PC28F128J3D75B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

75ns

Tempo di accesso

75ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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