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BR24G64FVM-3GTTR

BR24G64FVM-3GTTR

Solo per riferimento

Numero parte BR24G64FVM-3GTTR
PNEDA Part # BR24G64FVM-3GTTR
Descrizione IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8MSOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24G64FVM-3GTTR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24G64FVM-3GTTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24G64FVM-3GTTR, BR24G64FVM-3GTTR Datasheet (Totale pagine: 39, Dimensioni: 1.408,61 KB)
PDFBR24G64F-3GTE2 Datasheet Copertura
BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 2 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 3 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 4 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 5 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 6 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 7 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 8 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 9 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 10 BR24G64F-3GTE2 Datasheet Pagina 11

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BR24G64FVM-3GTTR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

LE25S80FDTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

450MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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SM668GE8-AC

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Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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