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BR24G01FVM-3GTTR

BR24G01FVM-3GTTR

Solo per riferimento

Numero parte BR24G01FVM-3GTTR
PNEDA Part # BR24G01FVM-3GTTR
Descrizione IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8MSOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.628
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24G01FVM-3GTTR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24G01FVM-3GTTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24G01FVM-3GTTR, BR24G01FVM-3GTTR Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 587,19 KB)
PDFBR24G01-3 Datasheet Copertura
BR24G01-3 Datasheet Pagina 2 BR24G01-3 Datasheet Pagina 3 BR24G01-3 Datasheet Pagina 4 BR24G01-3 Datasheet Pagina 5 BR24G01-3 Datasheet Pagina 6 BR24G01-3 Datasheet Pagina 7 BR24G01-3 Datasheet Pagina 8 BR24G01-3 Datasheet Pagina 9 BR24G01-3 Datasheet Pagina 10 BR24G01-3 Datasheet Pagina 11

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BR24G01FVM-3GTTR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (128 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

896b (112 x 8)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-XDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

2-SFN (3.5x5)

IS42VM32400H-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

MT28F400B5WG-8 TET TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

80ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

S34MS02G200TFV000

SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT24MAC602-STUM-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Pacchetto dispositivo fornitore

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