BQ4013YMA-120
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| Numero parte | BQ4013YMA-120 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BQ4013YMA-120 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 223 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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BQ4013YMA-120 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | BQ4013YMA-120 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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BQ4013YMA-120 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 120ns |
| Tempo di accesso | 120ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 16Gb (2G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 63-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 63-VFBGA (9x11) |
