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BMS3003-1E

BMS3003-1E

Solo per riferimento

Numero parte BMS3003-1E
PNEDA Part # BMS3003-1E
Descrizione MOSFET P-CH 60V 78A
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 19.104
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BMS3003-1E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBMS3003-1E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BMS3003-1E, BMS3003-1E Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 258,48 KB)
PDFBMS3003-1E Datasheet Copertura
BMS3003-1E Datasheet Pagina 2 BMS3003-1E Datasheet Pagina 3 BMS3003-1E Datasheet Pagina 4 BMS3003-1E Datasheet Pagina 5

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BMS3003-1E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C78A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs285nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13200pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220F-3SG
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

86.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSS209PW L6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

580mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 580mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 3.5µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.38nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

89.9pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

AOTF22N50

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3710pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SI7456DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

IRFS3306PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4520pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

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