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BGB 540 E6327

BGB 540 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BGB 540 E6327
PNEDA Part # BGB-540-E6327
Descrizione RF TRANS NPN 3.5V SOT343-4
Produttore Infineon Technologies
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Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BGB 540 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBGB 540 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BGB 540 E6327, BGB 540 E6327 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 129,68 KB)
PDFBGB 540 E6327 Datasheet Copertura
BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 2 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 3 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 4 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 5 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 6 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 7 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 8 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 9 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 10

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BGB 540 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3.5V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno16dB ~ 17.5dB
Potenza - Max120mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT343-4

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

550MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

17dB ~ 23dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

2N4957UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

MRF1090MB

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.8dB

Potenza - Max

90W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 2.5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

332A-03

Pacchetto dispositivo fornitore

332A-03, Style 1

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

43GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

136mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DFP

MS1087T

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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