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BFU610F,115

BFU610F,115

Solo per riferimento

Numero parte BFU610F,115
PNEDA Part # BFU610F-115
Descrizione RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.002
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU610F Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU610F,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU610F, BFU610F Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 126,3 KB)
PDFBFU610F Datasheet Copertura
BFU610F Datasheet Pagina 2 BFU610F Datasheet Pagina 3 BFU610F Datasheet Pagina 4 BFU610F Datasheet Pagina 5 BFU610F Datasheet Pagina 6 BFU610F Datasheet Pagina 7 BFU610F Datasheet Pagina 8 BFU610F Datasheet Pagina 9 BFU610F Datasheet Pagina 10 BFU610F Datasheet Pagina 11

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BFU610F Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5.5V
Frequenza - Transizione15GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Guadagno13.5dB ~ 23.5dB
Potenza - Max136mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 1mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitore4-DFP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

MS2213

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.8dB

Potenza - Max

75W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.5A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M214

Pacchetto dispositivo fornitore

M214

HFA3096BZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

3 NPN + 2 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V, 15V

Frequenza - Transizione

8GHz, 5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

2SC5501A-4-TR-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

4-MCP

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