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BFU590QX

BFU590QX

Solo per riferimento

Numero parte BFU590QX
PNEDA Part # BFU590QX
Descrizione RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU590QX Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU590QX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU590QX, BFU590QX Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 254,95 KB)
PDFBFU590QX Datasheet Copertura
BFU590QX Datasheet Pagina 2 BFU590QX Datasheet Pagina 3 BFU590QX Datasheet Pagina 4 BFU590QX Datasheet Pagina 5 BFU590QX Datasheet Pagina 6 BFU590QX Datasheet Pagina 7 BFU590QX Datasheet Pagina 8 BFU590QX Datasheet Pagina 9 BFU590QX Datasheet Pagina 10 BFU590QX Datasheet Pagina 11

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BFU590QX Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno6.5dB
Potenza - Max2W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 80mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89-3

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

BLT80,115

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

900MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 150mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

MT3S113TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.3V

Frequenza - Transizione

11.2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

900mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

UFM

TAN75A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

290W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 15mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

55AZ

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