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BFU550XVL

BFU550XVL

Solo per riferimento

Numero parte BFU550XVL
PNEDA Part # BFU550XVL
Descrizione RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU550XVL Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU550XVL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU550XVL, BFU550XVL Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 283,77 KB)
PDFBFU550XVL Datasheet Copertura
BFU550XVL Datasheet Pagina 2 BFU550XVL Datasheet Pagina 3 BFU550XVL Datasheet Pagina 4 BFU550XVL Datasheet Pagina 5 BFU550XVL Datasheet Pagina 6 BFU550XVL Datasheet Pagina 7 BFU550XVL Datasheet Pagina 8 BFU550XVL Datasheet Pagina 9 BFU550XVL Datasheet Pagina 10 BFU550XVL Datasheet Pagina 11

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BFU550XVL Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione11GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.3dB @ 1.8GHz
Guadagno15.5dB
Potenza - Max450mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount, Gull Wing
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143B

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 24dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

AT-31011-TR2G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.5V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

MSC1175M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

400W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M218

Pacchetto dispositivo fornitore

M218

DME375A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.5dB

Potenza - Max

375W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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