BFT46,215
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| Numero parte | BFT46,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BFT46-215 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Produttore | NXP | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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BFT46 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | BFT46,215 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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BFT46 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 200µA @ 10V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | 10mA |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 1.2V @ 0.5nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 250mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 (TO-236AB) |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AA (TO-18) |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 18 Ohms Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 20V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 150mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 600mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AF (TO-72) |
