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BFT25,215

BFT25,215

Solo per riferimento

Numero parte BFT25,215
PNEDA Part # BFT25-215
Descrizione RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 28.578
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFT25 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFT25,215
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFT25, BFT25 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 204,87 KB)
PDFBFT25 Datasheet Copertura
BFT25 Datasheet Pagina 2 BFT25 Datasheet Pagina 3 BFT25 Datasheet Pagina 4 BFT25 Datasheet Pagina 5 BFT25 Datasheet Pagina 6 BFT25 Datasheet Pagina 7 BFT25 Datasheet Pagina 8 BFT25 Datasheet Pagina 9 BFT25 Datasheet Pagina 10

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BFT25 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5V
Frequenza - Transizione2.3GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)5.5dB @ 500MHz
Guadagno-
Potenza - Max30mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 1mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6.5mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-236AB (SOT23)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.4dB

Potenza - Max

220W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.52A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M220

Pacchetto dispositivo fornitore

M220

TAN15

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB ~ 8dB

Potenza - Max

175W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55LT

Pacchetto dispositivo fornitore

55LT

1004MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB ~ 9dB

Potenza - Max

7W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW-1

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

330mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

17.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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