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BFS 466L6 E6327

BFS 466L6 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFS 466L6 E6327
PNEDA Part # BFS-466L6-E6327
Descrizione RF TRANS 2 NPN 5V/9V 14GHZ TSLP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.654
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFS 466L6 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFS 466L6 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFS 466L6 E6327, BFS 466L6 E6327 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 115,51 KB)
PDFBFS 466L6 E6327 Datasheet Copertura
BFS 466L6 E6327 Datasheet Pagina 2 BFS 466L6 E6327 Datasheet Pagina 3 BFS 466L6 E6327 Datasheet Pagina 4 BFS 466L6 E6327 Datasheet Pagina 5 BFS 466L6 E6327 Datasheet Pagina 6 BFS 466L6 E6327 Datasheet Pagina 7 BFS 466L6 E6327 Datasheet Pagina 8

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BFS 466L6 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5V, 9V
Frequenza - Transizione22GHz, 14GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Guadagno12dB ~ 17dB
Potenza - Max200mW, 210mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 20mA, 3V / 90 @ 15mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA, 35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreTSLP-6-1

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.6dB

Potenza - Max

940W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M216

Pacchetto dispositivo fornitore

M216

BFP196E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10.5dB ~ 16.5dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

HFA3127B96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

1015MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB ~ 11dB

Potenza - Max

50W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

90mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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