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BFR360L3E6765XTMA1

BFR360L3E6765XTMA1

Solo per riferimento

Numero parte BFR360L3E6765XTMA1
PNEDA Part # BFR360L3E6765XTMA1
Descrizione RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.616
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFR360L3E6765XTMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFR360L3E6765XTMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BFR360L3E6765XTMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)9V
Frequenza - Transizione14GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Guadagno11.5dB ~ 16dB
Potenza - Max210mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 15mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSLP-3-1

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

JANTXV2N2857UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

MSC1400M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.5dB

Potenza - Max

1000W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M216

Pacchetto dispositivo fornitore

M216

46010

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MZ0912B50Y,114

Ampleon

Produttore

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

150W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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SOT-443A

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