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BFR31,235

BFR31,235

Solo per riferimento

Numero parte BFR31,235
PNEDA Part # BFR31-235
Descrizione JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.220
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFR31 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFR31,235
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
BFR31, BFR31 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 271,49 KB)
PDFBFR30 Datasheet Copertura
BFR30 Datasheet Pagina 2 BFR30 Datasheet Pagina 3 BFR30 Datasheet Pagina 4 BFR30 Datasheet Pagina 5 BFR30 Datasheet Pagina 6 BFR30 Datasheet Pagina 7 BFR30 Datasheet Pagina 8 BFR30 Datasheet Pagina 9 BFR30 Datasheet Pagina 10 BFR30 Datasheet Pagina 11

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BFR31 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1mA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max10mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2.5V @ 0.5nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23 (TO-236AB)

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4.5pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.5V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

15V

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.5V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

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