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BFP640FE6327

BFP640FE6327

Solo per riferimento

Numero parte BFP640FE6327
PNEDA Part # BFP640FE6327
Descrizione RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.014
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFP640FE6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFP640FE6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFP640FE6327, BFP640FE6327 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 243,73 KB)
PDFBFP640FE6327 Datasheet Copertura
BFP640FE6327 Datasheet Pagina 2 BFP640FE6327 Datasheet Pagina 3 BFP640FE6327 Datasheet Pagina 4 BFP640FE6327 Datasheet Pagina 5 BFP640FE6327 Datasheet Pagina 6 BFP640FE6327 Datasheet Pagina 7 BFP640FE6327 Datasheet Pagina 8 BFP640FE6327 Datasheet Pagina 9 BFP640FE6327 Datasheet Pagina 10

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BFP640FE6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.5V
Frequenza - Transizione40GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Guadagno23dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce110 @ 30mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore4-TSFP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 24dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

SD8253-02H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS2554

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.2dB

Potenza - Max

600W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

17.8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M218

Pacchetto dispositivo fornitore

M218

MPSH10RLRPG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MCH4013-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

22.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

50mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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