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BFG67/X,215

BFG67/X,215

Solo per riferimento

Numero parte BFG67/X,215
PNEDA Part # BFG67-X-215
Descrizione RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.326
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG67/X Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG67/X,215
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG67/X, BFG67/X Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 287,4 KB)
PDFBFG67 Datasheet Copertura
BFG67 Datasheet Pagina 2 BFG67 Datasheet Pagina 3 BFG67 Datasheet Pagina 4 BFG67 Datasheet Pagina 5 BFG67 Datasheet Pagina 6 BFG67 Datasheet Pagina 7 BFG67 Datasheet Pagina 8 BFG67 Datasheet Pagina 9 BFG67 Datasheet Pagina 10 BFG67 Datasheet Pagina 11

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BFG67/X Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.3dB @ 1GHz
Guadagno-
Potenza - Max380mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143B

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

37GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

10.5dB ~ 21.5dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

EC4H08C-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

24GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

17dB

Potenza - Max

50mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-UFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

4-ECSP1008

MS2206

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

7.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M115

Pacchetto dispositivo fornitore

M115

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

360mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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