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BFG410W,115

BFG410W,115

Solo per riferimento

Numero parte BFG410W,115
PNEDA Part # BFG410W-115
Descrizione RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.722
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG410W Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG410W,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG410W, BFG410W Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 371,54 KB)
PDFBFG410W Datasheet Copertura
BFG410W Datasheet Pagina 2 BFG410W Datasheet Pagina 3 BFG410W Datasheet Pagina 4 BFG410W Datasheet Pagina 5 BFG410W Datasheet Pagina 6 BFG410W Datasheet Pagina 7 BFG410W Datasheet Pagina 8 BFG410W Datasheet Pagina 9 BFG410W Datasheet Pagina 10 BFG410W Datasheet Pagina 11

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BFG410W Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.5V
Frequenza - Transizione22GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Guadagno21dB
Potenza - Max54mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)12mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitoreCMPAK-4

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

SD1224

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

175MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.6dB

Potenza - Max

60W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M135

Pacchetto dispositivo fornitore

M135

MS2502A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

CA3127M

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 100MHz

Guadagno

27dB ~ 30dB

Potenza - Max

85mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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