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BDW63D-S

BDW63D-S

Solo per riferimento

Numero parte BDW63D-S
PNEDA Part # BDW63D-S
Descrizione TRANS NPN DARL 120V 6A
Produttore Bourns
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.988
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BDW63D-S Risorse

Brand Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBDW63D-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BDW63D-S, BDW63D-S Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 89,26 KB)
PDFBDW63C-S Datasheet Copertura
BDW63C-S Datasheet Pagina 2 BDW63C-S Datasheet Pagina 3 BDW63C-S Datasheet Pagina 4

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BDW63D-S Specifiche

ProduttoreBourns Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)120V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 60mA, 6A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 2A, 3V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

135 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

180MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

130 @ 3A, 2V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

20MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TOP-3F

Pacchetto dispositivo fornitore

TOP-3F-A1

MPSA18

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

500 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

BC635_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 250mA, 10V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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