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BDW54C-S

BDW54C-S

Solo per riferimento

Numero parte BDW54C-S
PNEDA Part # BDW54C-S
Descrizione TRANS PNP DARL 100V 4A
Produttore Bourns
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.130
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BDW54C-S Risorse

Brand Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBDW54C-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BDW54C-S, BDW54C-S Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 96 KB)
PDFBDW54B-S Datasheet Copertura
BDW54B-S Datasheet Pagina 2 BDW54B-S Datasheet Pagina 3 BDW54B-S Datasheet Pagina 4

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BDW54C-S Specifiche

ProduttoreBourns Inc.
Serie-
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BSR17A_D87Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BC635,112

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

830mW

Frequenza - Transizione

180MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

JANTX2N5686

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/464

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

5V @ 10A, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 25A, 2V

Potenza - Max

300W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AE

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3

MMBT6520LT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

350V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

225mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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