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BDV64A-S

BDV64A-S

Solo per riferimento

Numero parte BDV64A-S
PNEDA Part # BDV64A-S
Descrizione TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93
Produttore Bourns
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BDV64A-S Risorse

Brand Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBDV64A-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BDV64A-S, BDV64A-S Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 104,89 KB)
PDFBDV64A-S Datasheet Copertura
BDV64A-S Datasheet Pagina 2 BDV64A-S Datasheet Pagina 3 BDV64A-S Datasheet Pagina 4

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BDV64A-S Specifiche

ProduttoreBourns Inc.
Serie-
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)12A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic2V @ 20mA, 5A
Corrente - Taglio collettore (Max)2mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 4V
Potenza - Max3.5W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-218-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-93

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 400mA, 3V

Potenza - Max

80W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

JAN2N5684

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/466

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

5V @ 10A, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5A, 2V

Potenza - Max

300W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AA, TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3 (TO-204AA)

ZX3CDBS1M832TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN + Diode (Isolated)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 125mA, 4.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

25nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

140MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP/DFN (3x2)

MJD350G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1.56W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

2N4403_J60Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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