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BDP949E6327HTSA1

BDP949E6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BDP949E6327HTSA1
PNEDA Part # BDP949E6327HTSA1
Descrizione TRANS NPN 60V 3A SOT-223
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BDP949E6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBDP949E6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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BDP949E6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)3A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 1V
Potenza - Max5W
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

500V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 1A, 1V

Potenza - Max

50W

Frequenza - Transizione

23MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-225AA

2N3019

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

JANTX2N5667

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/455

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1A, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 5V

Potenza - Max

1.2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

PBSS302NZ,135

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 290mA, 5.8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 2A, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

140MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-73

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

130 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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