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BCV49E6327HTSA1

BCV49E6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BCV49E6327HTSA1
PNEDA Part # BCV49E6327HTSA1
Descrizione TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-89
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.544
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BCV49E6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBCV49E6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BCV49E6327HTSA1, BCV49E6327HTSA1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 510,43 KB)
PDFBCV29E6327HTSA1 Datasheet Copertura
BCV29E6327HTSA1 Datasheet Pagina 2 BCV29E6327HTSA1 Datasheet Pagina 3 BCV29E6327HTSA1 Datasheet Pagina 4 BCV29E6327HTSA1 Datasheet Pagina 5 BCV29E6327HTSA1 Datasheet Pagina 6 BCV29E6327HTSA1 Datasheet Pagina 7

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  • BCV49E6327HTSA1 Distributor

BCV49E6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10000 @ 100mA, 5V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione150MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT89

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2N5210TFR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100µA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MMSTA64-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

JAN2N6674

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/537

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

5V @ 5A, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 10A, 2V

Potenza - Max

6W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AA, TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204AA (TO-3)

2SB1241TV2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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