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BCR521E6327HTSA1

BCR521E6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BCR521E6327HTSA1
PNEDA Part # BCR521E6327HTSA1
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.190
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BCR521E6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBCR521E6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
BCR521E6327HTSA1, BCR521E6327HTSA1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 525,85 KB)
PDFBCR521E6327HTSA1 Datasheet Copertura
BCR521E6327HTSA1 Datasheet Pagina 2 BCR521E6327HTSA1 Datasheet Pagina 3 BCR521E6327HTSA1 Datasheet Pagina 4 BCR521E6327HTSA1 Datasheet Pagina 5 BCR521E6327HTSA1 Datasheet Pagina 6

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BCR521E6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)1 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 50mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione100MHz
Potenza - Max330mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Serie

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PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

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SOT-723

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

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-

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100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

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