BCR192WH6327XTSA1
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| Numero parte | BCR192WH6327XTSA1 |
| PNEDA Part # | BCR192WH6327XTSA1 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.932 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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BCR192WH6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BCR192WH6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
BCR192WH6327XTSA1, BCR192WH6327XTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 836,27 KB)
  
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BCR192WH6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-70, SOT-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 150MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSFP-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 338mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SC-59 |
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