BCR133SH6327XTSA1
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| Numero parte | BCR133SH6327XTSA1 |
| PNEDA Part # | BCR133SH6327XTSA1 |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 86.862 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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BCR133SH6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BCR133SH6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
BCR133SH6327XTSA1, BCR133SH6327XTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 867,54 KB)
  
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BCR133SH6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 10kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | 130MHz |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione - Potenza - Max - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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