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BCR 183L3 E6327

BCR 183L3 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BCR 183L3 E6327
PNEDA Part # BCR-183L3-E6327
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.894
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BCR 183L3 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBCR 183L3 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
BCR 183L3 E6327, BCR 183L3 E6327 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 751,25 KB)
PDFBCR 183T E6327 Datasheet Copertura
BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 2 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 3 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 4 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 5 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 6 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 7 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 8 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 9 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 10 BCR 183T E6327 Datasheet Pagina 11

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BCR 183L3 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSLP-3-4

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Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

SSSMini3-F2-B

DRA2523E0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

2.2 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 100mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G3-B

DRC3144G0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

-

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

SSSMini3-F2-B

PDTB114EQAZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

325mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-XDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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DRA5143E0L

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

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Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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