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BC327RL1G

BC327RL1G

Solo per riferimento

Numero parte BC327RL1G
PNEDA Part # BC327RL1G
Descrizione TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 5.256
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Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
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BC327RL1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBC327RL1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BC327RL1G, BC327RL1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 102,89 KB)
PDFBC327-25ZL1G Datasheet Copertura
BC327-25ZL1G Datasheet Pagina 2 BC327-25ZL1G Datasheet Pagina 3 BC327-25ZL1G Datasheet Pagina 4 BC327-25ZL1G Datasheet Pagina 5

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BC327RL1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)800mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione260MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 3mA, 30mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

800 @ 4mA, 2V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

TIP112

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

2SAR513P5T100

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 25mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 50mA, 2V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

400MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

MPT3

2SA949-Y(JVC1,F,M)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

150V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 1mA, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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