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BC212B_J35Z

BC212B_J35Z

Solo per riferimento

Numero parte BC212B_J35Z
PNEDA Part # BC212B_J35Z
Descrizione TRANS PNP 50V 0.1A TO-9
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 4 - lug 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BC212B_J35Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBC212B_J35Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BC212B_J35Z, BC212B_J35Z Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 51,49 KB)
PDFBC212B_J35Z Datasheet Copertura
BC212B_J35Z Datasheet Pagina 2 BC212B_J35Z Datasheet Pagina 3 BC212B_J35Z Datasheet Pagina 4

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BC212B_J35Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)15nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 2mA, 5V
Potenza - Max350mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1200 @ 10mA, 3V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

350MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-72 Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SPT

BD37916STU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

BSP52

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223-4

BC858BWE6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

2N706

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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